三星全球率先推出纳米级动态存储芯片.源泉

收集建议。“目前三家都陆续在做工艺、生产环境的调整方案世界著名存储芯片企业三星电子在全球率先推出40纳米级 2GB DRAM（动态随机存取记忆体）模块，并计划从4月开始生产该产品。

40纳米（10亿分之1米）工艺是指将芯片内部电路的线幅缩小为40纳米。芯片电路线幅越薄，芯片的集成度和生产效率就越高。

三星电子在2009年 月实现了50纳米级16GB DRAM模块的批量生产，而仅隔一年就把容量提高两倍，芯片生产效率则提高了60%。最近，高性能服务器要求将存储器容量提高至GB的1000倍，即TB（千千兆）级以上，因此预计40纳米级 2GB DRAM的用途将非常大。搭载该半导体的服务器（中型计算机）以及台式、本式个人电脑将比之前产品的主存储量增加一倍。

三星电子副社长金东守称：“由于使用超节电技术，这次推出的40纳米级 2GB DRAM模块的主存储量增加，耗电量降低，为需要大容量存储器的服务器以及个人电脑提供了高性能、低电力的存储解决方案，这点非常有意义。” 比如，使用96GB容量动态存储的服务器，搭载40纳米级4GBDDR 动态内存的产品要比40纳米级2GBDDR 动态内存模型的耗电量最多可减少 5%。三星电子计划在上半年内将把在服务器和个人电脑用动态内存中的40纳米级DDR动态内存供应比率提高到90%以上。

三星电子芯片项目部存储器业务总经理赵秀仁表示：“今年将量产40纳米级 2GB DRAM模块，同时，三星电子已开发了与40纳米级相比更先进的 0纳米级生产工程技术，下半年将推出 0纳米级产品，继续抢占市场。”

（来源：国家软件与集成电路促进中心）